标准详细信息
硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 |
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| 标准编号:GB/T 29056-2025 | 标准状态: 即将实施 | 阅读打印版价格: 29.0 |
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适用范围:
本文件描述了硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法。
本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。
本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。
标准编号:
GB/T 29056-2025标准名称:
硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法英文名称:
Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry标准状态:
即将实施发布日期:
2012-12-31实施日期:
2026-05-01出版语种:
中文简体
替代以下标准:
GB/T 29056-2012被以下标准替代:
引用标准:
GB/T 602,GB/T 11446.1-2013,GB/T 25915.1-2021采用标准:
采标名称:
采标程度:
标准类型:
CN标准属性:
GB标准编号:
29056起草人:
万烨、郭树虎、刘见华、曹俊英、赵培芝、吴作木、宋丹、王春明、魏东亮、李强、冉祎、康俊勤、甘俊、汤艳起草单位:
洛阳中硅高科技有限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、青海南玻新能源科技有限公司、青海丽豪清能股份有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、湖北江瀚新材料股份有限公司归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会


