标准详细信息
半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法 |
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| 标准编号:GB/T 4937.44-2025 | 标准状态: 即将实施 | 阅读打印版价格: 43.0 |
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适用范围:
本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法,包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。
注1: 高压半导体器件也会产生单粒子效应,包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-4。
注2: 除高能中子外,能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-5。
注1: 高压半导体器件也会产生单粒子效应,包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-4。
注2: 除高能中子外,能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-5。
标准编号:
GB/T 4937.44-2025标准名称:
半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法英文名称:
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 44:Neutron beam irradiated single event effect(SEE) test method for semiconductor devices标准状态:
即将实施发布日期:
2025-12-02实施日期:
2026-07-01出版语种:
中文简体


